Haasrode™ Avior™

电容耦合等离子体刻蚀(CCP)系统



系统特性

  • 单腔室电容耦合等离子体(CCP)机台
  • 适用于光刻胶残胶去除(打底膜)、介质刻蚀等工艺
  • 可用于6英寸及以下晶圆








设备硬件


Haasrode™ Avior™
装载方式 手动,Open load
样品尺寸 150 mm - 50 mm
工艺气体 F基气体、氧气、氮气以及惰性气体等
刻蚀线宽 最小CD 200 nm
机架尺寸 1458 x 740 x 1264 mm
适用范围 科研和小规模量产,根据客户需求可选择中配和高配方案。
刻蚀材料
  • 栅材料(Poly-Si,Si,W 等)
  • 介质材料(SiO2,SiNx,high-K 及 low-K)
  • 非挥发材料(Pt,Au,Ir,NiFe 等)
  • 铁电材料(PZT,SBT等)
  • 硅(Si,Poly-Si,α-Si 等)
  • III-V及II-VI化合物半导体(GaAs,GaN,InP,CdZnTe等)
  • 聚合物和光刻胶(聚酰亚胺,聚对二甲苯,SU-8光刻胶等)
  • 其他材料:蓝宝石,钻石,铌酸锂,钽酸锂,氧化铟锡,氮化铝,等等
应用
  • 各种材料的干法刻蚀
  • Si,SiO2 和 SiNx的刻蚀
  • 聚酰亚胺和聚对二甲苯的刻蚀
  • 光刻胶的灰化
  • 失效分析

工艺数据

详细介绍

CCP腔室适用于制造微纳结构的等离子刻蚀技术。在反应离子刻蚀过程中,等离子体中会包含大量的活性粒子,与表面原子产生化学反应,生成可挥发产物后,随真空抽气系统排出。鲁汶仪器的 Haasrode™ Avior 在性价比和空间利用率上优点突出,可提供各种不同材料的刻蚀解决方案。

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