Haasrode® Avior® A

电容耦合等离子体刻蚀(CCP)系统



系统特性

  • 单腔室电容耦合等离子体(CCP)机台
  • 适用于光刻胶残胶去除(打底膜)、介质刻蚀等工艺
  • 可用于6英寸及以下晶圆








工艺数据

详细介绍

CCP腔室适用于制造微纳结构的等离子刻蚀技术。在反应离子刻蚀过程中,等离子体中会包含大量的活性粒子,与表面原子产生化学反应,生成可挥发产物后,随真空抽气系统排出。鲁汶仪器的 Haasrode® Avior® A 在性价比和空间利用率上优点突出,可提供各种不同材料的刻蚀解决方案。

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