Pishow® D 系列

8英寸电感耦合等离子体-深刻蚀(ICP-DRIE)系统



系统特性

  • Pishow® D 系列是采用深反应离子刻蚀(DRIE)技术的电感耦合等离子体(ICP)刻蚀系统
  • 提供深刻蚀解决方案,包括Si深刻蚀方案和SiC深孔刻蚀方案
  • 优化的气柜设计,缩短进气距离,最短工艺切换时间小于1.0秒
  • 提供Bosch解决方案,实现对Si的高深宽比刻蚀
  • Pishow® D 系列可选择8~4英寸晶圆,提供单腔式和多腔式等多种腔室搭配方式






设备选型

设备硬件


Terbank™ Pishow® D Heverlee® Pishow® D Haasrode® Pishow® D
装载方式 自动,Cassette 自动,Cassette 自动,Load lock
样品尺寸 200 ~ 100 mm 200 ~ 100 mm 200 ~ 100 mm (托盘兼容碎片)
工艺气体 SF6 、C4F8 、O2
刻蚀线宽 最小CD 200 nm
适用范围 大量产 量产、中试线 科研和小规模量产
刻蚀材料 Si、SiC
应用

Si深刻蚀、Bosch工艺,SiC深孔刻蚀

工艺数据

深宽比及刻蚀深度可调控,侧壁垂直,粗糙度较好

详细介绍

Pishow® D 系列深刻蚀系统,是针对200~100mm产线或科研上Si或SiC的深孔刻蚀工艺的生产设备,拥有自主开发的优化设计,保证了优异的刻蚀精度控制和损伤控制。

提供Si Bosch和SiC深孔等各项工艺的解决方案。


该系统高性价比的解决方案和优秀的空间利用率,可帮助不同客户实现产能升级。

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