设备选型
Tebaank™ Shale® C
Heverlee® Shale® C
Haasrode® Shale® C
工艺数据
120 ℃ SiO2 的致密性
10 nm SiNx 在 +1 V 时漏电密度
微米级填充能力
详细介绍
Shale® C系列电感耦合等离子体化学气相沉积设备（ICP-CVD），通过电感耦合（ICP）产生高密度等离子体，并通过电容耦合（CCP）产生偏压，可实现低温、高致密、低损伤、优填充能力的薄膜沉积工艺。该设备采用了8英寸产线设备所通用的国际标准零部件，符合SEMI的设计标准，并通过了严苛的稳定性和可靠性测试验证。