【产品介绍】
l 鲁汶仪器专利产品，专为刻蚀过渡金属及非挥发性金属而研制，主要用于磁性存储器MRAM及磁传感器的研发及生产。
l 集成了ICP刻蚀、IBE刻蚀、原位保护等模块，通过配合使用ICP刻蚀模块和IBE刻蚀模块，可避免非挥发性刻蚀残留物，并精确去除在残留物去除工艺中产生的等离子损失层。原位保护模块可以保证磁隧道结在刻蚀之后、在真空环境下即覆盖原位保护层，从而有效的隔离空气，解决了侧壁金属氧化以及水化导致的器件可靠性问题。
【产品特点】
l 同时具备三种处理工艺：ICP刻蚀，IBE刻蚀，原位保护
l 三种工艺切换过程不离开真空环境
l 中央传输机械手马拉松测试，连续万次测试传输无失败
l ICP模块配备独特的电极，对过渡金属和非挥发性金属材料有更高的刻蚀速率，并能够精确控制磁隧道结的刻蚀过程，准确停止在不同的金属层
l IBE模块独特的载片台设计，能够精准控制刻蚀角度和转速优化侧壁形貌，清除侧壁积累
l 原位保护模块配备两级匀气结构，有助于提高薄膜质量
l 适用200mm样品，满足中试需求，也可扩展至300mm机台
l 优选世界一流零部件供应商，确保系统稳定性
l 真空环境具有良好的真空度，保证工艺进程
l 配有干法清洗功能，避免腔室污染
l 配备人机交互功能，自动记录工艺数据、工作日志，自动进行数据监控
l 配有安全互锁功能，发现危险及时报警
l 提供全套的工艺服务
【产品配置及指标】
l 可处理晶圆尺寸： ≤200mm（可扩展至300mm）
l ICP刻蚀模块： 1套（可选配终点检测系统）
l 原位保护模块： 1套
l IBE刻蚀模块： 1套（可选配终点检测系统）
l 中央传输系统： 1套
l 晶圆装载腔： 2套
l 全自动控制系统及软件：1套
【主要应用】
主要用于磁性存储器MRAM及磁传感器的研发及生产，用于刻蚀过渡金属及非挥发性金属材料，可以加工的材料有：
l 非金属化合物：SiO2、Si3N4等
l 金属材料：Ta、Ru、Ti、TiN、Co、Pt、W等
l 金属化合物：TaN、CoFeB、NiFe、MgO、Al2O3、IrMn、HfO等
