【产品介绍】 

通入反应气体后，通过电感耦合形成的等离子体辉光放电将气体分解，产生的具有强化学活性的等离子体在样品表面沉积薄膜。等离子体源与射频偏压源分离，所以等离子体密度与等离子体能量可分别控制，以此获得更高的沉积速率和薄膜质量。

可以在≤180℃沉积高质量的氧化硅、氮化硅薄膜，能够获得良好的均匀性，具有良好的重复性，是进行微纳精细加工不可缺少的工具。
【产品特点】

  l 由反应腔室、真空获得系统、下电极、激励射频电源及匹配器、偏压射频电源及匹配器、反应气路及质量流量计、真空检测系统、电气控制系统、控制软件等组成

  l 沉积材料包括：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等

  l 沉积温度：≤180℃

  l 反应腔室采用6061进口航空铝材，暴露在等离子体中的表面100%硬质阳极化处理，侧下方抽气 

  l 真空获得系统由耐腐蚀高端干泵、分子泵等组成，分子泵水平安装 

  l 下电极具备He背冷和水冷功能，精确控制工艺温度，可根据需求配备≤8英寸标准晶圆尺寸的下电极，也适合小尺寸碎样 

  l 采用进口射频电源，配有自动匹配器，激励射频电源采用平板对称双螺旋结构 

  l 可以根据用户需求灵活配置工艺气体，配有进口高精度质量流量计，精准控制反应气体流量

  l 配置高精度工艺真空规和集成调压阀，精确控制工艺压力

  l 工艺流程全自动，带有工艺数据库，提供推荐的工艺菜单

  l 机台安全机制由软硬互锁（interlock）两级组成，配有互锁、报警等安全措施

  l 带有干法清洗功能，避免腔室污染，保证工艺稳定性及重复性
【产品配置及指标】

  l 反应腔室：                         1套；

  l 真空获得系统：                 1套

  l 下电极：                            1套

  l 射频电源及匹配器：          2套，频率13.56MHz

  l 反应气路及质量流量计：  根据用户需求配置

  l 真空检测系统：                 1套

  l 电气控制系统：                 1套

  l 控制软件：                         1套

  l 选配loadlock自动传输系统

【主要应用】

       应用于集成电路、半导体照明、微机电系统、功率半导体等领域，可用于钝化层、ILD、IMD、深槽填充等应用。