【产品介绍】
通入反应气体后,通过电感耦合形成的等离子体辉光放电将气体分解,产生的具有强化学活性的等离子体在样品表面沉积薄膜。等离子体源与射频偏压源分离,所以等离子体密度与等离子体能量可分别控制,以此获得更高的沉积速率和薄膜质量。
可以在≤180℃沉积高质量的氧化硅、氮化硅薄膜,能够获得良好的均匀性,具有良好的重复性,是进行微纳精细加工不可缺少的工具。
【产品特点】
l 由反应腔室、真空获得系统、下电极、激励射频电源及匹配器、偏压射频电源及匹配器、反应气路及质量流量计、真空检测系统、电气控制系统、控制软件等组成
l 沉积材料包括:氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等
l 沉积温度:≤180℃
l 反应腔室采用6061进口航空铝材,暴露在等离子体中的表面100%硬质阳极化处理,侧下方抽气
l 真空获得系统由耐腐蚀高端干泵、分子泵等组成,分子泵水平安装
l 下电极具备He背冷和水冷功能,精确控制工艺温度,可根据需求配备≤8英寸标准晶圆尺寸的下电极,也适合小尺寸碎样
l 采用进口射频电源,配有自动匹配器,激励射频电源采用平板对称双螺旋结构
l 可以根据用户需求灵活配置工艺气体,配有进口高精度质量流量计,精准控制反应气体流量
l 配置高精度工艺真空规和集成调压阀,精确控制工艺压力
l 工艺流程全自动,带有工艺数据库,提供推荐的工艺菜单
l 机台安全机制由软硬互锁(interlock)两级组成,配有互锁、报警等安全措施
l 带有干法清洗功能,避免腔室污染,保证工艺稳定性及重复性
【产品配置及指标】
l 反应腔室: 1套;
l 真空获得系统: 1套
l 下电极: 1套
l 射频电源及匹配器: 2套,频率13.56MHz
l 反应气路及质量流量计: 根据用户需求配置
l 真空检测系统: 1套
l 电气控制系统: 1套
l 控制软件: 1套
l 选配loadlock自动传输系统
【主要应用】
应用于集成电路、半导体照明、微机电系统、功率半导体等领域,可用于钝化层、ILD、IMD、深槽填充等应用。