LMEC-300™

12英寸特种金属膜层刻蚀系统



系统特性

  • 系统集成了 Chimera® N 反应离子刻蚀(RIE)腔室、Pangea® A 离子束刻蚀(IBE)腔室、Basalt® A 原位(in-situ)沉积腔室,工艺不离开真空环境
  • 对于磁隧道结等难于形成挥发性产物的金属/合金叠层,该系统可实现等离子体刻蚀、干法清洗和原位钝化保护的功能
  • 可提供不同工艺解决方案,满足磁存储器(MRAM)、相变存储器(PCRAM)、阻变存储器(ReRAM)、磁传感器等器件的图形化需求
  • 可选配硬掩模刻蚀腔室 Chimera® A,形成从金属硬掩模到器件功能层的一体化刻蚀方案
  • 适用于12英寸晶圆






工艺数据

存储器件:MTJ刻蚀

详细介绍

LMEC-300™ 是鲁汶仪器针对特种金属膜层刻蚀而推出的 12 英寸集成系统,应用于新兴存储器件的制备。此类器件的核心功能单元含有成分复杂的金属叠层,例如磁存储器的磁隧道节(MTJ)、相变存储器中的合金相变层、阻变存储器中的阻变叠层。其副产物不易挥发,图形化挑战很大。 LMEC-300™ 独具反应离子刻蚀与离子束刻蚀协同工艺,可规避 RIE 路径的侧壁沾污问题,也可突破 IBE 路径的工艺线宽局限。薄膜沉积腔室可以不脱离真空环境为器件覆盖钝化层,避免侧壁金属氧化、水化,从而改善可靠性。这种 RIE、IBE 刻蚀与原位钝化工艺集成方案,使 LMEC-300™ 成为新兴存储器件关键工艺的优选。

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