8英寸电感耦合等离子体刻蚀(ICP)系统
Terbank™ Pishow®
Heverlee® Pishow®
Haasrode® Pishow®
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Terbank™ Pishow® | Heverlee® Pishow® | Haasrode® Pishow® |
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装载方式 | 自动,Cassette | 自动,Cassette | 自动,Load lock |
样品尺寸 | 200 ~ 100 mm | 200 ~ 100 mm | 200 ~ 100 mm (托盘兼容碎片) |
工艺气体 | F基、Cl基、氧气、氮气以及惰性气体等 | ||
刻蚀线宽 | 最小CD 20 nm | ||
适用范围 | 大量产 | 量产、中试线 | 科研和小规模量产 |
刻蚀材料 |
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应用 |
各种材料的干法刻蚀
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InGaAs
InGaAsP
TiN
TiN
α-Si
α-Si
InP
InP
ICP是一种加工微纳结构的等离子刻蚀技术。具有刻蚀快、选择比高、各项异性高、刻蚀损伤小、均匀性好、断面轮廓可控性高、刻蚀表面平整度高等优点。目前被广泛应用于Si、SiO2、SiNx、金属、III-V族化合物等材料的刻蚀。可应用于大规模集成电路、MEMS、光波导、光电子器件等领域中各种微结构的制作。