Pishow® 系列

8英寸电感耦合等离子体刻蚀(ICP)系统



系统特性

  • 拥有多种材料刻蚀解决方案,包括硅基材料、金属、III-V和其他化合物半导体
  • 可提供高低温(-100℃至+150℃)工艺模式
  • 可提供ALE解决方案,实现对刻蚀速率和均匀性的高精度控制
  • 具备Bosch工艺能力,可提供高深宽比硅深槽或深孔刻蚀解决方案
  • 适用于8英寸晶圆,并可向下兼容,提供单腔式和多腔式等多种腔室搭配方式






设备选型

设备硬件


Terbank™ Pishow® Heverlee® Pishow® Haasrode® Pishow®
装载方式 自动,Cassette 自动,Cassette 自动,Load lock
样品尺寸 200 ~ 100 mm 200 ~ 100 mm 200 ~ 100 mm (托盘兼容碎片)
工艺气体 F基、Cl基、氧气、氮气以及惰性气体等
刻蚀线宽 最小CD 20 nm
适用范围 大量产 量产、中试线 科研和小规模量产
刻蚀材料
  • 金属类:Ti,TiN,Ta,TaN,TiOx,Mo,Al,W,WC
  • 栅材料(Poly- Si,Si,W 等)
  • 介质材料(SiO2,SiNx,high-K 及 low-K)
  • 非挥发材料(Pt,Au,Ir,NiFe 等)
  • 铁电材料(PZT,SBT 等)
  • 硅(Si,Poly-Si,α-Si 等)
  • III-V及II-VI化合物半导体(GaAs,GaN,InP,CdZnTe等)
  • 聚合物和光刻胶(聚酰亚胺,聚对二甲苯,SU-8光刻胶等)
  • 其他材料:蓝宝石,钻石,铌酸锂,钽酸锂,氧化铟锡,碳化硅、氮化铝,等等
应用

各种材料的干法刻蚀

  • Si,SiO2,SiNx,GaN,GaAs,InP,金属和有机物
  • 适用于对腔体环境敏感的样品

工艺数据

详细介绍

ICP是一种加工微纳结构的等离子刻蚀技术。具有刻蚀快、选择比高、各项异性高、刻蚀损伤小、均匀性好、断面轮廓可控性高、刻蚀表面平整度高等优点。目前被广泛应用于Si、SiO2、SiNx、金属、III-V族化合物等材料的刻蚀。可应用于大规模集成电路、MEMS、光波导、光电子器件等领域中各种微结构的制作。

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