Pishow® A 系列

8英寸电感耦合等离子体刻蚀(ICP)系统



系统特性

  • 拥有多种材料刻蚀解决方案,包括硅基材料、金属、III-V和其他化合物半导体
  • 可提供高低温(-10℃至+150℃)工艺模式
  • 可提供ALE解决方案,实现对刻蚀速率和均匀性的高精度控制
  • 具备Bosch工艺能力,可提供高深宽比硅深槽或深孔刻蚀解决方案
  • 适用于8英寸晶圆,并可向下兼容,提供单腔式和多腔式等多种腔室搭配方式






设备选型

工艺数据

详细介绍

ICP是一种加工微纳结构的等离子刻蚀技术。具有刻蚀快、选择比高、各项异性高、刻蚀损伤小、均匀性好、断面轮廓可控性高、刻蚀表面平整度高等优点。目前被广泛应用于Si、SiO2、SiNx、金属、III-V族化合物等材料的刻蚀。可应用于大规模集成电路、MEMS、光波导、光电子器件等领域中各种微结构的制作。

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