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Pishow™ 系列

8英寸电感耦合等离子体刻蚀（ICP）系统



系统特性

  • 拥有多种材料刻蚀解决方案，包括硅基材料、金属、III-V和其他化合物半导体
  • 可提供高低温（-100℃至+150℃）工艺模式
  • 可提供ALE解决方案，实现对刻蚀速率和均匀性的高精度控制
  • 具备Bosch工艺能力，可提供高深宽比硅深槽或深孔刻蚀解决方案
  • 适用于8英寸晶圆，并可向下兼容，提供单腔式和平台式等多种腔室搭配方式






设备选型

Terbank™ Pishow™

Heverlee™ Pishow™

Haasrode™ Pishow™

设备硬件


Terbank™ Pishow™ Heverlee™ Pishow™ Haasrode™ Pishow™
装载方式 自动，Cassette 自动，Cassette 自动，Load lock
样品尺寸 200 ~ 100 mm 200 ~ 100 mm 200 ~ 100 mm (托盘兼容碎片)
工艺气体 F基、Cl基、氧气、氮气以及惰性气体等
刻蚀线宽 最小CD 20 nm
适用范围 大量产 量产、中试线 科研和小规模量产
刻蚀材料
  • 金属类：Ti，TiN，Ta，TaN，TiOx，Mo，Al，W，WC
  • 栅材料（Poly- Si，Si，W 等）
  • 介质材料（SiO2，SiNx，high-K 及 low-K）
  • 非挥发材料（Pt，Au，Ir，NiFe 等）
  • 铁电材料（PZT，SBT 等）
  • 硅（Si，Poly-Si，α-Si 等）
  • III-V及II-VI化合物半导体（GaAs，GaN，InP，CdZnTe等）
  • 聚合物和光刻胶（聚酰亚胺，聚对二甲苯，SU-8光刻胶等）
  • 其他材料：蓝宝石，钻石，铌酸锂，钽酸锂，氧化铟锡，碳化硅、氮化铝，等等
应用

各种材料的干法刻蚀

  • Si，SiO2，SiNx，GaN，GaAs，InP，金属和有机物
  • 适用于对腔体环境敏感的样品

工艺数据

InGaAs

InGaAsP

TiN

TiN

α-Si

α-Si

InP

InP

详细介绍

ICP是一种加工微纳结构的等离子刻蚀技术。具有刻蚀快、选择比高、各项异性高、刻蚀损伤小、均匀性好、断面轮廓可控性高、刻蚀表面平整度高等优点。目前被广泛应用于Si、SiO2、SiNx、金属、III-V族化合物等材料的刻蚀。可应用于大规模集成电路、MEMS、光波导、光电子器件等领域中各种微结构的制作。

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