Lorem® A 系列

8英寸离子束刻蚀(IBE)系统



系统特性

  • Lorem®A系列可选8/6/4英寸电极,适用于不同尺寸的晶圆
  • 如配置标准口径离子源,刻蚀均匀性(1 σ)达到< 3%;还可配置大口径离子源刻蚀均匀性(1 σ)达到< 2%
  • 样品台可偏转(tilt),偏转范围:-90°到+80°,实现离子束倾斜入射
  • 工艺过程中,样品台可自转
  • 提供单腔式和多腔式等多种腔室搭配方式







设备选型

工艺数据

MTJ刻蚀

Ta刻蚀

详细介绍

Lorem® A 系列常规 IBE 系统,由离子源栅极引出正离子并加速,中性束流撞击样品表面,溅射形成刻蚀图像。由于等离子体的产生远离晶圆空间,起辉不受非挥发性副产物的影响。这种物理方案,几乎可以用来刻蚀任何固体材料,包括金属、合金、氧化物、化合物、混合材料、半导体、绝缘体等。栅网拉出的离子束的能量和密度可以独立控制,提升了工艺可控性;载片台的角度可调整,实现离子束倾斜入射,可用于特殊图案的刻蚀,也适用于侧壁清洗等工艺。

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