Lorem™ 系列

8英寸离子束刻蚀(IBE)系统



系统特性

  • Lorem™系列兼容8英寸至4英寸晶圆,配置标准口径离子源,刻蚀均匀性(1 σ)达到< 3%;还可配置大口径离子源刻蚀均匀性(1 σ)达到< 2%
  • 样品台可偏转(tilt),偏转范围:-90°到+80°,实现离子束倾斜入射
  • 工艺过程中,样品台可自转
  • 提供单腔式和平台式等多种腔室搭配方式







设备选型

设备硬件


Heverlee™ Lorem™ B Heverlee™ Lorem™ Haasrode™ Lorem™
装载方式 自动,Cassette 自动,Load lock
样品尺寸 200 mm 200 mm ~ 100 mm
工艺气体 惰性气体为主,选配氟基、氯基气体可实现RIBE工艺
刻蚀线宽 最小CD 20 nm
离子源 大口径 标准口径
适用范围 量产产线,对均一性要求较高 量产产线 科研和小规模量产
刻蚀材料
  • 介质材料(SiO2,SiNx等)
  • 非挥发材料(Pt,Au,Ag,Ir,NiFe 等)
  • 铁电材料(PZT,SBT等)
  • III-V 及 II-VI化合物(GaAs,GaN,InP,CdZnTe 等)
  • 其他材料:蓝宝石,钻石,氧化铟锡,氮化铝,金属氧化物等
应用

磁存储器、磁头加工、MEMS、Micro-LED、光栅等

工艺数据

MTJ刻蚀

Ta刻蚀

详细介绍

IBE属于干法刻蚀,Lorem™ 系列IBE系统的核心部件为大面积离子源。气体通入离子源的放电室中,电离产生均匀的等离子体,由离子源的栅极将正离子引出并加速,然后由中和器进行中和。利用引出的带有一定动能的离子束流撞击样品表面,通过物理溅射将材料去除,进而获得刻蚀图形。这一过程属于纯物理过程,一般运行在较高的真空度下。

IBE类型设备的优点主要是等离子体的产生远离晶圆空间,通过栅网拉出的离子束的能量和密度可以独立控制;其次IBE的晶圆载台可以实现自转,并通过角度调整,实现倾斜入射。


Lorem™系列常规IBE系统采用纯物理刻蚀,几乎可以用来刻蚀任何固体材料,包括金属、合金、氧化物、化合物、混合材料、半导体、绝缘体、超导体等。

circle-arrow2circle-arrow2facebookgooglehandshake2health2linkedinmenupdfplant2searchtwitteryoutube