Lorem® A 系列
8英寸离子束刻蚀（IBE）系统
系统特性
- Lorem®A系列可选8/6/4英寸电极，适用于不同尺寸的晶圆
- 如配置标准口径离子源，刻蚀均匀性（1 σ）达到< 3%；还可配置大口径离子源，刻蚀均匀性（1 σ）达到< 2%
- 样品台可偏转（tilt），偏转范围：-90°到+80°，实现离子束倾斜入射
- 工艺过程中，样品台可自转
- 提供单腔式和多腔式等多种腔室搭配方式
设备选型
Heverlee® Lorem® A
Haasrode® Lorem® A
工艺数据
MTJ刻蚀
Ta刻蚀
详细介绍
Lorem® A 系列常规 IBE 系统，由离子源栅极引出正离子并加速，中性束流撞击样品表面，溅射形成刻蚀图像。由于等离子体的产生远离晶圆空间，起辉不受非挥发性副产物的影响。这种物理方案，几乎可以用来刻蚀任何固体材料，包括金属、合金、氧化物、化合物、混合材料、半导体、绝缘体等。栅网拉出的离子束的能量和密度可以独立控制，提升了工艺可控性；载片台的角度可调整，实现离子束倾斜入射，可用于特殊图案的刻蚀，也适用于侧壁清洗等工艺。