8英寸离子束刻蚀(IBE)系统
Heverlee® Lorem® B
Heverlee® Lorem®
Haasrode® Lorem®
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Heverlee® Lorem® B | Heverlee® Lorem® | Haasrode® Lorem® |
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装载方式 | 自动,Cassette | 自动,Load lock | |
样品尺寸 | 200 mm | 200 mm ~ 100 mm | |
工艺气体 | 惰性气体为主,选配氟基、氯基气体可实现RIBE工艺 | ||
刻蚀线宽 | 最小CD 20 nm | ||
离子源 | 大口径 | 标准口径 | |
适用范围 | 量产产线,对均一性要求较高 | 量产产线 | 科研和小规模量产 |
刻蚀材料 |
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应用 |
磁存储器、磁头加工、MEMS、Micro-LED、光栅等 |
MTJ刻蚀
Ta刻蚀
IBE属于干法刻蚀,Lorem® 系列IBE系统的核心部件为大面积离子源。气体通入离子源的放电室中,电离产生均匀的等离子体,由离子源的栅极将正离子引出并加速,然后由中和器进行中和。利用引出的带有一定动能的离子束流撞击样品表面,通过物理溅射将材料去除,进而获得刻蚀图形。这一过程属于纯物理过程,一般运行在较高的真空度下。
IBE类型设备的优点主要是等离子体的产生远离晶圆空间,通过栅网拉出的离子束的能量和密度可以独立控制;其次IBE的晶圆载台可以实现自转,并通过角度调整,实现倾斜入射。
Lorem®系列常规IBE系统采用纯物理刻蚀,几乎可以用来刻蚀任何固体材料,包括金属、合金、氧化物、化合物、混合材料、半导体、绝缘体、超导体等。