Lorem™ 系列
8英寸离子束刻蚀（IBE）系统
系统特性
- Lorem™系列兼容8英寸至4英寸晶圆，配置标准口径离子源，刻蚀均匀性（1 σ）达到< 3%；还可配置大口径离子源，刻蚀均匀性（1 σ）达到< 2%
- 样品台可偏转（tilt），偏转范围：-90°到+80°，实现离子束倾斜入射
- 工艺过程中，样品台可自转
- 提供单腔式和平台式等多种腔室搭配方式
设备选型
Heverlee™ Lorem™ B
Heverlee™ Lorem™
Haasrode™ Lorem™
设备硬件
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Heverlee™ Lorem™ B | Heverlee™ Lorem™ | Haasrode™ Lorem™ |
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| 装载方式 | 自动，Cassette | 自动，Load lock | |
| 样品尺寸 | 200 mm | 200 mm ~ 100 mm | |
| 工艺气体 | 惰性气体为主，选配氟基、氯基气体可实现RIBE工艺 | ||
| 刻蚀线宽 | 最小CD 20 nm | ||
| 离子源 | 大口径 | 标准口径 | |
| 适用范围 | 量产产线，对均一性要求较高 | 量产产线 | 科研和小规模量产 |
| 刻蚀材料 |
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| 应用 |
磁存储器、磁头加工、MEMS、Micro-LED、光栅等 |
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工艺数据
MTJ刻蚀
Ta刻蚀
详细介绍
IBE属于干法刻蚀，Lorem™ 系列IBE系统的核心部件为大面积离子源。气体通入离子源的放电室中，电离产生均匀的等离子体，由离子源的栅极将正离子引出并加速，然后由中和器进行中和。利用引出的带有一定动能的离子束流撞击样品表面，通过物理溅射将材料去除，进而获得刻蚀图形。这一过程属于纯物理过程，一般运行在较高的真空度下。
IBE类型设备的优点主要是等离子体的产生远离晶圆空间，通过栅网拉出的离子束的能量和密度可以独立控制；其次IBE的晶圆载台可以实现自转，并通过角度调整，实现倾斜入射。
Lorem™系列常规IBE系统采用纯物理刻蚀，几乎可以用来刻蚀任何固体材料，包括金属、合金、氧化物、化合物、混合材料、半导体、绝缘体、超导体等。