Shale® 系列
8英寸等离子体增强化学气相沉积（PECVD）系统
系统特性
- 可提供基于硅烷（SiH4）体系的薄膜沉积方案，还可选正硅酸乙酯（TEOS）体系沉积方案的Shale® T腔室
- 可提供双频系统，使氮化硅（SiNx）的应力可调，范围从压应力-1.6GPa到张应力+0.7GPa
- 可提供n/p型掺杂，满足磷硅玻璃（PSG）和硼磷硅玻璃（BPSG）等掺杂氧化硅工艺的需求
设备选型
Terbank™ Shale®
Heverlee® Shale®
Haasrode® Shale®
设备硬件
| 模块 | 标配 | 选配 |
|---|---|---|
| 气路体系 | 硅烷/TEOS（可原位掺杂），二选一 | |
| 传输 | 单腔式、多腔式（可挂1~3工艺腔） | |
| 射频源 | 13.56 MHz | 400 kHz |
| 热台 | 铝合金（100~400℃） | |
| 匀气盘 | 二级匀气设计 | |
| 真空系统 | 腔室干泵、真空计、阀门 | |
| 热台升降机制 | 匀气盘和热台距离（gap）可调节，是工艺参数的一部分，更容易调节均匀性 | |
| 硅烷体系气路 | SiH4，NH3，N2O，CF4，O2，N2 |
NF3，Ar，C3H6，B2H6，PH3，CH4，GeH4，He 等 |
| TEOS体系源/气路 | TEOS，O2，He，CF4，N2 |
TMPi/TEPO，TMB，SiF4，N2O，NF3，Ar 等 |
工艺数据
|
|
SiO2 | SiNx |
|---|---|---|
| 样品尺寸 | 200 - 50 mm (托盘兼容碎片） | |
| 建议沉积膜厚 | 300 Å - 100 kÅ | 100 Å - 10 kÅ |
| 沉积速率 | 15 - 100 Å/s | 5 - 50 Å/s |
| 均匀性（极差法，49点测试，EE5） | 8英寸 < 3% | |
| 折射率（RI） | 1.46 ± 0.02 | 2.00 ± 0.05 |
| 应力绝对值 | < 300 MPa | < 500 MPa，可根据需求调GPa级应力薄膜 |
| BOE（7/1）@ 23℃ 腐蚀速率 | 300 - 800 nm/min | 1 - 20 nm/min |
基于非晶硅的滤波器
III-V光波导SiO2覆盖
宽泛的氮化硅应力调节能力
详细介绍
Shale® 系列等离子体增强化学气相沉积系统（PECVD），通过平行电容板电场放电产生等离子体，可以在400℃及以下沉积比较致密、均匀性较好的氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、非晶硅等薄膜。该系统采用了300/200mm产线设备所通用的国际标准零部件，符合SEMI的设计标准，并通过了严苛的稳定性和可靠性测试验证。