Shale® A 系列
8英寸等离子体增强化学气相沉积（PECVD）系统
系统特性
- 可提供基于硅烷（SiH4）体系的薄膜沉积方案，还可选正硅酸乙酯（TEOS）体系的沉积方案
- 可提供双频系统，使氮化硅（SiNx）的应力可调，范围从压应力-1.6GPa到张应力+0.7GPa
- 可提供n/p型掺杂，满足磷硅玻璃（PSG）和硼磷硅玻璃（BPSG）等掺杂氧化硅工艺的需求
- 8/6英寸兼容
设备选型
Tebaank™ Shale® A
Heverlee® Shale® A
Haasrode® Shale® A
工艺数据
基于非晶硅的滤波器
III-V光波导SiO2覆盖
宽泛的氮化硅应力调节能力
详细介绍
Shale® A系列等离子体增强化学气相沉积系统（PECVD），通过平行电容板电场放电产生等离子体，可以在400℃及以下沉积比较致密、均匀性较好的氧化硅、TEOS、BPSG、氮化硅、氮氧化硅、非晶硅、非晶碳、非晶碳化硅等薄膜。该系统采用了8英寸产线设备所通用的国际标准零部件，符合SEMI的设计标准，并通过了严苛的稳定性和可靠性测试验证。