Shale™ 系列

8英寸等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统



系统特性

  • 可提供基于硅烷(SiH4)体系的薄膜沉积方案,还可选正硅酸乙酯(TEOS)体系沉积方案的Shale™ T腔室
  • 可提供双频系统,使氮化硅(SiNx)的应力可调,范围从压应力-1.6GPa到张应力+0.7GPa
  • 可提供n/p型掺杂,满足磷硅玻璃(PSG)和硼磷硅玻璃(BPSG)等掺杂氧化硅工艺的需求








设备选型

设备硬件

模块 标配 选配
气路体系 硅烷/TEOS(可原位掺杂),二选一
传输 单腔式、平台式(可挂1~3工艺腔)
射频源 13.56 MHz 400 kHz
热台 铝合金(100~400℃)
匀气盘 二级匀气设计
真空系统 腔室干泵、真空计、阀门
热台升降机制 匀气盘和热台距离(gap)可调节,是工艺参数的一部分,更容易调节均匀性
硅烷体系气路 SiH4,NH3,N2O,CF4,O2,N2

NF3,Ar,C3H6,B2H6,PH3,CH4,GeH4,He 等

TEOS体系源/气路 TEOS,O2,He,CF4,N2

TMPi/TEPO,TMB,SiF4,N2O,NF3,Ar 等

工艺数据


SiO2 SiNx
样品尺寸 200 - 50 mm (托盘兼容碎片)
建议沉积膜厚 300 Å - 100 kÅ 100 Å - 10 kÅ
沉积速率 15 - 100 Å/s 5 - 50 Å/s
均匀性(极差法,49点测试,EE5) 8英寸 < 3%
折射率(RI) 1.46 ± 0.02 2.00 ± 0.05
应力绝对值 < 300 MPa < 500 MPa,可根据需求调GPa级应力薄膜
BOE(7/1)@ 23℃ 腐蚀速率 300 - 800 nm/min 1 - 20 nm/min

宽泛的氮化硅应力调节能力

详细介绍

Shale™ 系列等离子体增强化学气相沉积系统(PECVD),通过平行电容板电场放电产生等离子体,可以在400℃及以下沉积比较致密、均匀性较好的氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、非晶硅等薄膜。该系统采用了300/200mm产线设备所通用的国际标准零部件,符合SEMI的设计标准,并通过了严苛的稳定性和可靠性测试验证。

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