Shale™ C 系列

8英寸电感耦合等离子体化学气相沉积(ICP-CVD)系统



系统特性

  • 可在低温(<120°C)下沉积高致密薄膜,其致密性不亚于LPCVD在750°C生长的薄膜
  • 可有效降低等离子体损伤,从而降低漏电,漏电流密度与原子层沉积(ALD)制备的薄膜相当
  • 可提供高深宽比薄膜填充工艺








设备选型

设备硬件

模块 标配 选配
气路体系 硅烷
传输 单腔式、平台式(可挂1~3工艺腔)
射频源

Source:13.56 MHz

Bias:13.56 MHz

电极 机械电极(60~180 ℃) ESC
匀气盘 中心和边缘进气
真空系统 腔室干泵、真空计、阀门
硅烷体系气路 SiH4,NH3,N2O,CF4,O2,N2,Ar

NF3,H2,He,CH4

工艺数据


SiO2 SiNx
样品尺寸 200 - 50 mm (托盘兼容碎片)
建议沉积膜厚 300 Å - 100 kÅ 100 Å - 10 kÅ
沉积速率 38 - 80 Å/s 5 - 40 Å/s
均匀性(极差法,49点测试,EE5) 8英寸 < 3%
折射率(RI) 1.46 ± 0.02 2.00 ± 0.05
应力绝对值 < 200 MPa < 500 MPa,可根据需求调GPa级应力薄膜
BOE(7/1)@23℃腐蚀速率 160 - 800 nm/min 1 - 20 nm/min

详细介绍

Shale™ C系列电感耦合等离子体化学气相沉积系统(ICP-CVD),通过电感耦合(ICP)产生高密度等离子体,并通过电容耦合(CCP)产生偏压,可实现低温、高致密、低损伤、优填充能力的薄膜沉积工艺。该系统采用了200mm产线设备所通用的国际标准零部件,符合SEMI的设计标准,并通过了严苛的稳定性和可靠性测试验证。

circle-arrow2circle-arrow2facebookgooglehandshake2health2linkedinmenupdfplant2searchtwitteryoutube