Terbank™ Pishow® P

8英寸硅刻蚀系统



系统特性

  • Terbank™ Pishow® P 硅刻蚀系统是面向8英寸集成电路制造的量产型设备
  • 系统由电感耦合等离子体刻蚀腔(ICP etch chamber)以及传输模块(transfer module)构成
  • 适用于0.11微米及其它技术代的多晶硅栅(poly gate)、侧墙(spacer)、浅沟槽隔离(STI)工艺








详细介绍

Terbank™ Pishow® P 硅刻蚀系统,为200mm IC产线上栅极工艺的多腔式量产型设备,拥有自主开发的优化设计,保证了优异的刻蚀均匀性(片内<5%,片间<5%)和颗粒控制。

提供gateSTIspacer等各项工艺的刻蚀解决方案。


该系统高性价比的解决方案和优秀的空间利用率,可为客户产能升级提供帮助。

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