Herent® Chimera® M

12英寸金属刻蚀系统



系统特性

  • Herent® Chimera® M 金属刻蚀系统是面向12英寸集成电路制造的量产型设备
  • 系统由电感耦合等离子体刻蚀腔(ICP etch chamber)、去胶腔(strip chamber)、传输模块(transfer module)构成
  • 适用于0.18微米至10纳米技术代的铝垫刻蚀工艺,也可用于0.18微米至90纳米高密度铝导线工艺








详细介绍

Herent® Chimera® M 金属刻蚀系统, 为针对 300mm IC 产业0.18微米技术代以下后道工艺中的铝垫 (Al pad) 刻蚀工艺所开发的专用产品同时也可应用于0.18微米以下的后道高密度铝导线互连工艺该系统承袭了 Chimera® 的先进设计理念具有出色的均匀性调控手段可以提供客户高性价比的解决方案。

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