Herent® Chimera® M
12英寸金属刻蚀系统
系统特性
- Herent® Chimera® M 金属刻蚀系统是面向12英寸集成电路制造的量产型设备
- 系统由电感耦合等离子体刻蚀腔（ICP etch chamber）、去胶腔（strip chamber）、传输模块（transfer module）构成
- 适用于0.18微米至10纳米技术代的铝垫刻蚀工艺，也可用于0.18微米至90纳米高密度铝导线工艺
详细介绍
Herent® Chimera® M 金属刻蚀系统, 为针对 300mm IC 产业0.18微米技术代以下后道工艺中的铝垫 (Al pad) 刻蚀工艺所开发的专用产品，同时也可应用于0.18微米以下的后道高密度铝导线互连工艺，该系统承袭了 Chimera® 的先进设计理念，具有出色的均匀性调控手段，可以提供客户高性价比的解决方案。