Pangea® A 系列

12英寸离子束刻蚀(IBE)系统



系统特性

  • Pangea®A系列适用于12英寸晶圆,配置大口径离子源,刻蚀均匀性(1 σ)达到< 1%
  • 样品台可偏转(tilt),偏转范围:-90°到+80°,实现离子束倾斜入射
  • 工艺过程中,样品台可自转
  • 可搭配多种传输模块







工艺数据

MTJ刻蚀

Ta刻蚀

详细介绍

Pangea®A系列常规IBE系统由离子源栅极引出正离子并加速,中性束流撞击样品表面,溅射形成刻蚀图像。由于等离子体的产生远离晶圆空间,起辉不受非挥发性副产物的影响。这种物理方案,几乎可以用来刻蚀任何固体材料,包括金属、合金、氧化物、化合物、混合材料、半导体、绝缘体等。栅网拉出的离子束的能量和密度可以独立控制,提升了工艺可控性;载片台的角度可调整,实现离子束倾斜入射,可用于特殊图案的刻蚀,也适用于侧壁清洗等工艺。

circle-arrow2circle-arrow2facebookgooglehandshake2health2linkedinmenupdfplant2searchtwitteryoutube