工艺数据

MTJ刻蚀

Ta刻蚀

详细介绍

离子束刻蚀属于干法刻蚀，其核心部件为大面积离子源。气体通入离子源的放电室中，电离产生均匀的等离子体，由离子源的栅极将正离子引出并加速，然后由中和器进行中和。利用引出的带有一定动能的离子束流撞击样品表面，通过物理溅射将材料去除，进而获得刻蚀图形。这一过程属于纯物理过程，一般运行在较高的真空度下。

IBE类型设备的优点主要是等离子体的产生远离晶圆空间，通过栅网拉出的离子束的能量和密度可以独立控制；其次IBE的晶圆载台可以实现自转，并通过角度调整，实现倾斜入射。

Pangea^®系列常规IBE系统采用纯物理刻蚀，几乎可以用来刻蚀任何固体材料，包括金属、合金、氧化物、化合物、混合材料、半导体、绝缘体、超导体等。