Pangea® 系列

12英寸离子束刻蚀(IBE)系统



系统特性

  • Pangea®系列适用于12英寸晶圆,配置大口径离子源,刻蚀均匀性(1 σ)达到< 1%
  • 样品台可偏转(tilt),偏转范围:-90°到+80°,实现离子束倾斜入射
  • 工艺过程中,样品台可自转
  • 可搭配多种传输模块







工艺数据

MTJ刻蚀

Ta刻蚀

详细介绍

离子束刻蚀属于干法刻蚀,其核心部件为大面积离子源。气体通入离子源的放电室中,电离产生均匀的等离子体,由离子源的栅极将正离子引出并加速,然后由中和器进行中和。利用引出的带有一定动能的离子束流撞击样品表面,通过物理溅射将材料去除,进而获得刻蚀图形。这一过程属于纯物理过程,一般运行在较高的真空度下。

IBE类型设备的优点主要是等离子体的产生远离晶圆空间,通过栅网拉出的离子束的能量和密度可以独立控制;其次IBE的晶圆载台可以实现自转,并通过角度调整,实现倾斜入射。


Pangea®系列常规IBE系统采用纯物理刻蚀,几乎可以用来刻蚀任何固体材料,包括金属、合金、氧化物、化合物、混合材料、半导体、绝缘体、超导体等。

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