Lorem® R 系列
8英寸反应离子束刻蚀（RIBE)系统
系统特性
- Lorem® R系列兼容8英寸至4英寸晶圆，配置标准口径离子源，刻蚀均匀性（1 σ）达到< 3%
- 样品台可偏转（tilt），偏转范围：-90°到+80°，实现离子束倾斜入射
- 工艺过程中，样品台可自转
- 可独立控制离子束能量和通量
- 高真空环境下工艺
- 引入特定的化学气体，可实现高刻蚀速率和刻蚀选择比
- Lorem® R系列提供单腔式和多腔式等多种腔室搭配方式
设备选型
Terbank™ Lorem® R
Heverlee® Lorem® R
Haasrode® Lorem® R
设备硬件
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Terbank™ Lorem® R | Heverlee® Lorem® R | Haasrode® Lorem® R |
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| 装载方式 | 自动，Cassette | 自动，Load lock | |
| 样品尺寸 | 200 mm | 200 mm - 100 mm | |
| 工艺气体 | 惰性气体、氟基气体 | ||
| 刻蚀线宽 | 最小CD 100 nm | ||
| 离子源 | 标准口径 | ||
| 适用范围 | 量产产线 | 科研和小规模量产 | |
| 刻蚀材料 |
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| 应用 |
斜光栅、闪耀光栅 |
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工艺数据
通过RIBE工艺，实现斜光栅刻蚀
详细介绍
常规离子束刻蚀（IBE）为纯物理刻蚀，在此基础上加入F基等化学反应气体后，可实现RIBE工艺。反应气体（或与惰性气体一起）通入离子源的放电室中，电离产生均匀的等离子体，由栅极形成离子束并引出加速，然后由中和器进行中和。反应气体产生等离子体被活化后，离子束以一定能量、束流密度撞击样品表面，对基底材料进行物理和化学刻蚀。
反应气体的加入，有助于提高对材料的刻蚀速率和对掩模的选择比。晶圆载台可进行角度调整，实现倾斜入射，控制图形的侧壁角度。离子束的能量和通量可独立控制，有利于调节图形的底部角度和平直度。
Lorem® R系列反应离子刻蚀系统可用于加工不同材质的特殊形貌样品，如Si、SiO、石英等材质的斜光栅和闪耀光栅。同时，RIBE配备有惰性气体，可兼容常规IBE刻蚀工艺。