8英寸反应离子束刻蚀(RIBE)系统
Terbank™ Lorem® R
Heverlee® Lorem® R
Haasrode® Lorem® R
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Terbank™ Lorem® R | Heverlee® Lorem® R | Haasrode® Lorem® R |
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装载方式 | 自动,Cassette | 自动,Load lock | |
样品尺寸 | 200 mm | 200 mm - 100 mm | |
工艺气体 | 惰性气体、氟基气体 | ||
刻蚀线宽 | 最小CD 100 nm | ||
离子源 | 标准口径 | ||
适用范围 | 量产产线 | 科研和小规模量产 | |
刻蚀材料 |
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应用 |
斜光栅、闪耀光栅 |
通过RIBE工艺,实现斜光栅刻蚀
常规离子束刻蚀(IBE)为纯物理刻蚀,在此基础上加入F基等化学反应气体后,可实现RIBE工艺。反应气体(或与惰性气体一起)通入离子源的放电室中,电离产生均匀的等离子体,由栅极形成离子束并引出加速,然后由中和器进行中和。反应气体产生等离子体被活化后,离子束以一定能量、束流密度撞击样品表面,对基底材料进行物理和化学刻蚀。
反应气体的加入,有助于提高对材料的刻蚀速率和对掩模的选择比。晶圆载台可进行角度调整,实现倾斜入射,控制图形的侧壁角度。离子束的能量和通量可独立控制,有利于调节图形的底部角度和平直度。
Lorem® R系列反应离子刻蚀系统可用于加工不同材质的特殊形貌样品,如Si、SiO、石英等材质的斜光栅和闪耀光栅。同时,RIBE配备有惰性气体,可兼容常规IBE刻蚀工艺。