Lorem® R 系列

8英寸反应离子束刻蚀(RIBE)系统



系统特性

  • Lorem® R系列兼容8英寸至4英寸晶圆,配置标准口径离子源,刻蚀均匀性(1 σ)达到< 3%
  • 样品台可偏转(tilt),偏转范围:-90°到+80°,实现离子束倾斜入射
  • 工艺过程中,样品台可自转
  • 可独立控制离子束能量和通量
  • 高真空环境下工艺
  • 引入特定的化学气体,可实现高刻蚀速率和刻蚀选择比
  • Lorem® R系列提供单腔式和多腔式等多种腔室搭配方式




设备选型

设备硬件


Terbank™ Lorem® R Heverlee® Lorem® R Haasrode® Lorem® R
装载方式 自动,Cassette 自动,Load lock
样品尺寸 200 mm 200 mm - 100 mm
工艺气体 惰性气体、氟基气体
刻蚀线宽 最小CD 100 nm
离子源 标准口径
适用范围 量产产线 科研和小规模量产
刻蚀材料
  • 硅材料
  • 介质材料(石英,SiO2,SiN等)
  • 非挥发材料(Pt,Au,Ag,Ir,NiFe 等)
  • 铁电材料(PZT,SBT等)
  • III-V 及 II-VI化合物(GaAs,GaN,InP,CdZnTe 等)
  • 其他材料:蓝宝石,钻石,氧化铟锡,氮化铝,金属氧化物等
应用

斜光栅、闪耀光栅

工艺数据

通过RIBE工艺,实现斜光栅刻蚀

详细介绍

常规离子束刻蚀(IBE)为纯物理刻蚀,在此基础上加入F基等化学反应气体后,可实现RIBE工艺。反应气体(或与惰性气体一起)通入离子源的放电室中,电离产生均匀的等离子体,由栅极形成离子束并引出加速,然后由中和器进行中和。反应气体产生等离子体被活化后,离子束以一定能量、束流密度撞击样品表面,对基底材料进行物理和化学刻蚀。

反应气体的加入,有助于提高对材料的刻蚀速率和对掩模的选择比。晶圆载台可进行角度调整,实现倾斜入射,控制图形的侧壁角度。离子束的能量和通量可独立控制,有利于调节图形的底部角度和平直度。


Lorem® R系列反应离子刻蚀系统可用于加工不同材质的特殊形貌样品,如Si、SiO、石英等材质的斜光栅和闪耀光栅。同时,RIBE配备有惰性气体,可兼容常规IBE刻蚀工艺。

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