8英寸离子束塑形(IBS)设备
Heverlee® Lorem® A
Haasrode® Lorem® A
MTJ刻蚀
Ta刻蚀
Lorem® A 系列常规 IBS 设备,由离子源栅极引出正离子并加速,中性束流撞击样品表面,溅射形成刻蚀图像。由于等离子体的产生远离晶圆空间,起辉不受非挥发性副产物的影响。这种物理方案,几乎可以用来刻蚀任何固体材料,包括金属、合金、氧化物、化合物、混合材料、半导体、绝缘体等。栅网拉出的离子束的能量和密度可以独立控制,提升了工艺可控性;载片台的角度可调整,实现离子束倾斜入射,可用于特殊图案的刻蚀,也适用于侧壁清洗等工艺。