电容耦合等离子体刻蚀(CCP)设备
Si
SiNx
SiO2
Au
Ta
CCP腔室适用于制造微纳结构的等离子刻蚀技术。在反应离子刻蚀过程中,等离子体中会包含大量的活性粒子,与表面原子产生化学反应,生成可挥发产物后,随真空抽气系统排出。鲁汶仪器的 Haasrode® Avior® A 在性价比和空间利用率上优点突出,可提供各种不同材料的刻蚀解决方案。