Pishow® A 系列 - 等离子体刻蚀

Pishow^® A 系列

8英寸电感耦合等离子体刻蚀（ICP）设备

系统特性

拥有多种材料刻蚀解决方案，包括硅基材料、金属、III-V和其他化合物半导体
可提供高低温（-10℃至+150℃）工艺模式
可提供ALE解决方案，实现对刻蚀速率和均匀性的高精度控制
具备Bosch工艺能力，可提供高深宽比硅深槽或深孔刻蚀解决方案
适用于8英寸晶圆，并可向下兼容，提供单腔式和多腔式等多种腔室搭配方式

设备选型

Tebaank™ Pishow^® A

Heverlee^® Pishow^® A

Haasrode^® Pishow^® A

工艺数据

InGaAs

InGaAsP

TiN

α-Si

InP

详细介绍

ICP是一种加工微纳结构的等离子刻蚀技术。具有刻蚀快、选择比高、各项异性高、刻蚀损伤小、均匀性好、断面轮廓可控性高、刻蚀表面平整度高等优点。目前被广泛应用于Si、SiO₂、SiN_x、金属、III-V族化合物等材料的刻蚀。可应用于大规模集成电路、MEMS、光波导、光电子器件等领域中各种微结构的制作。